Especificación marco de detalle: Transistor de efecto de campo (FET) de puerta simple. (Ratificada por AENOR en noviembre de 1996.)
BDS: SINGLE GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS. (Endorsed by AENOR in November of 1996.)
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31.080.30 / Transistors
CTN 209/SC 47 - Semiconductor devices
EN 150012:1991 (Identical)
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